viernes, 28 de mayo de 2010

Características de los Sólidos Cristalinos

Características de los sólidos cristalinos

En el estado sólido, las moléculas, átomos o iones que componen la sustancia considerada están unidas entre sí por fuerzas relativamente intensas, formando un todo compacto. La mayor proximidad entre sus partículas constituyentes es una característica de los sólidos y permite que entren en juego las fuerzas de enlace que ordenan el conjunto, dando lugar a una red cristalina. En ella las partículas ocupan posiciones definidas y sus movimientos se limitan a vibraciones en torno a los vértices de la red en donde se hallan situadas. Por esta razón las sustancias sólidas poseen forma y volumen propios.

La mayor parte de los sólidos presentes en la naturaleza son cristalinos aun cuando en ocasiones esa estructura ordenada no se refleje en una forma geométrico regular apreciable a simple vista. Ello es debido a que con frecuencia están formados por un conjunto de pequeños cristales orientados de diferentes maneras, en una estructura policristalina. Los componentes elementales de una red cristalina pueden ser átomos, moléculas o iones, de ahí que no se pueda hablar en general de la molécula de un cristal, sino más bien de un retículo elemental o celdilla unidad, que se repite una y otra vez en una estructura periódica o red cristalina.

Las propiedades físicas de los sólidos, tales como temperatura de fusión, capacidad para conducir la corriente, resistencia a la deformación, dureza, etc., dependen de las características de las fuerzas de enlace que unen las entidades elementales. Así, los sólidos iónicos, como las sales, son duros y a la vez frágiles, con puntos de fusión altos. Aunque son malos conductores de la electricidad sus disoluciones, sin embargo, presentan una conductividad elevada. Los sólidos formados por moléculas apolares, como el Cl2, el H2 o el CO2, son blandos como corresponde a la debilidad de las fuerzas de interacción entre ellas (fuerzas de Van der Waals). Presentan un punto de fusión bajo lo que indica que sólo a bajas temperaturas, las débiles fuerzas ordenadores del enlace pueden predominar sobre el efecto disgregador del calor. Su conductividad eléctrica es extremadamente baja como corresponde a la ausencia de cargas libres.

Los sólidos formados por moléculas polares, como el agua, presentan características intermedias entre ambos tipos de sólidos, los iónicos y los apolares. Las características del enlace metálico con un gas de electrones externos compartidos hace que los sólidos metálicos sean buenos conductores de la electricidad y del calor, y dúctiles y maleables, aunque con elevados puntos de fusión. Un tipo de sólido de propiedades extremas lo constituyen los sólidos covalentes; están formados por una red tridimensional de enlaces atómicos fuertes que dan lugar a propiedades tales como elevados puntos de fusión, escasa conductividad y extraordinaria dureza. El diamante, que es carbono puro cristalizado, constituye un ejemplo de este tipo de sólidos.

Teoría de bandas en los sólidos

Todos los sólidos cristalinos presentan una estructura periódica, por lo que un electrón genérico que se viese sometido a la influencia de la red cristalina poseería una energía potencial que variaría también de una forma periódica en las tres direcciones del espacio. Esta situación se traduce, de acuerdo con la mecánica cuántica, en que cada uno de los niveles de energía que correspondería a un átomo aislado se desdobla tanto más cuanto mayor es el número N de átomos constitutivos de la red, dando lugar a una serie de niveles prácticamente contiguos que en conjunto constituyen una banda de energía.

El número máximo de electrones que pueden ocupar una banda determinada viene limitado por el principio de exclusión de Pauli que indica que en cada nivel atómico se pueden acomodar, a lo más, dos electrones y siempre que sus espines respectivos sean opuestos; por tal motivo en una cualquiera de las bandas correspondientes a una red cristalina formada por N átomos iguales, podrán acomodarse como máximo 2N electrones.

Las bandas de energía en un sólido cristalino desempeñan el mismo papel que los niveles electrónicos de un átomo aislado e incluso se representan de la misma manera mediante las letras s, p, d, f, etc.; por tanto, la energía de un electrón en un sólido sólo puede tomar valores comprendidos en alguna de las múltiples bandas de energía del sólido.

En algunos tipos de sólidos las bandas pueden solaparse y en otros, sin embargo, los correspondientes diagramas de energía aparecen separados por espacios intermedios que representan valores de la energía que no pueden poseer los electrones; por ello se les denomina bandas prohibidas.

La teoría de bandas permite explicar con una excelente aproximación el fenómeno de la conducción eléctrica en los sólidos. En algunos sólidos, la última banda no está ocupada completamente, lo que permite a los electrones de esa banda ganar energía por la acción de un campo eléctrico externo y desplazarse por la red.

La mayor parte de los metales presentan, no obstante, bandas superiores incompletas que se superponen entre sí permitiendo, asimismo, la movilidad de los electrones que son excitados por un campo eléctrico. Este movimiento de cargas en el seno de la red cristalina constituye una corriente eléctrica.

Una gran mayoría tanto de sólidos iónicos como de covalentes, son malos conductores de la electricidad (aisladores). En ellos la banda más alta conteniendo electrones (banda de valencia) está completamente llena.

Ello supone, de acuerdo con el principio de exclusión de Pauli, que los electrones no pueden ganar energía y saltar de un nivel a otro dentro de la banda, lo que equivale a restringir su movilidad al entorno de su núcleo atómico.

Además la siguiente banda vacía (banda de conducción) está lo suficientemente separada de aquélla como para que la banda prohibida no pueda ser salvada por la acción de un campo eléctrico ordinario. Tal circunstancia explica su reducida conductividad eléctrica.

Existen algunos sólidos como el silicio y el germanio que tienen una estructura de bandas semejante a la de los aisladores. Sin embargo, en ellos la banda prohibida que separa la de valencia, completamente llena, y la de conducción, completamente vacía, es estrecha, de modo que es posible excitar los electrones más altos de la banda de valencia y transferidos a la de conducción.

En tal caso se puede hablar tanto de una conducción por los electrones de la banda superior, como de conducción por los huecos que se generan en la banda inferior y que se comportan como cargas positivas. Se trata de sólidos semiconductores. El hecho de que su banda prohibida sea estrecha permite bombear electrones a la banda de conducción sin más que elevar suficientemente la temperatura.

Los semiconductores constituyen los materiales sólidos clave en la fabricación de dispositivos electrónicos. Sus propiedades, mejoradas y aprovechadas gracias a la investigación básica y aplicada, no sólo han constituido un elemento clave en el desarrollo de la informática, la instrumentación científica de alto nivel y las telecomunicaciones, sino también en el diseño de aparatos electrodomésticos y de uso habitual.

Fuente: http://www.salonhogar.com/ciencias/fisica/estados_materia/estado_solido.htm

Mario Pedraza

Electrónica del Estado Sólido Sección 2

Sustancias con Enlaces Iónicos

sustancias con Enlace Iónico

Puntos de ebullición y de fusión.

Las sustancias que presentan enlaces iónicos son sólidas a temperatura y presión ambiente pues sus puntos de fusión y ebullición son altos debido a que al encontrarse los iones fuertemente atraídos (como nos referimos en interacciones entre partículas) se requiere mucha energía para poder separarlos y que puedan cambiar de estado. Cuanto mayor es la carga o menor es la distancia entre los iones, más elevados son los puntos de fusión y de ebullición.

Sustancia

Punto de fusión en °C

NaCl

801

BaCl2

963

LiF

845

CaF2

1360

Dureza.

La dureza es la resistencia que ofrecen los sólidos a ser rayados. La propia estructura ordenada de los sólidos iónicos, explica su dureza, ya que no hay lugar hacia donde se desplacen los iones bajo presión. Para rayar un cristal es necesario romper los enlaces entre iones (op.cit. en interacciones entre partículas). La dureza varía desde 1 a 9 en la escala de Mohs.

Escala de Mohs

valor

Talco

1

Yeso

2

Calcita

3

Fluorita

4

Apatito

5

Ortosa

6

cuarzo

7

Topacio

8

Corindón

9

diamante

10

Solubilidad.

Los disolventes polares hacen disminuir las fuerzas atractivas al interponerse las moléculas del disolvente entre los iones. Cada ion se rodea de moléculas de disolvente (solvatación). La solubilidad disminuye si aumenta la carga de los iones. Así las sustancias formadas por metales del grupo II A (alcalinos térreos) son menos solubles que las formadas por metales del grupo I A (alcalinos)

Conductividad.

Las que presentan enlace iónico tienen sus electrones muy bien localizados, es decir que los iones en los cristales carecen de movilidad; sin embargo cuando están fundidos o disueltos en soluciones acuosas, como los iones se encuentran libres, es decir adquieren movilidad, por lo cual conducen la corriente eléctrica y el calor.

Medidor de conductividad video


Mario Pedraza
Electronica del Estado Sólido Sección 2

Imperfecciones en las Redes Cristalinas

IMPERFECCIONES EN LAS REDES CRISTALINAS

Las imperfecciones se encuentran dentro de la zona de ordenamiento de largo alcance (grano) y se clasifican de la siguiente manera:

DEFECTOS PUNTUALES (puntos defectuosos):

Defectos puntuales: Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran uno o quizá varios átomos. Estos defectos o imperfecciones,, pueden ser generados en el material mediante el movimiento de los átomos al ganar energía por calentamiento; durante el procesamiento del material; mediante la introducción de impurezas; o intencionalmente a través de las aleaciones.

Huecos: Un Hueco se produce cuando falta un átomo en un sitio normal. Las vacancias se crean en el cristal durante la solidificación a altas temperaturas o como consecuencia de daños por radiación. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero éstas se incrementan de manera exponencial conforme se aumenta la temperatura.

Defectos intersticiales: Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un átomo adicional en una posición normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. Los átomos intersticiales, aunque mucho más pequeños que los átomos localizados en los puntos de la red, aún así son mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en consecuencia, la red circundante aparece comprimida y distorsionada. Los átomos intersticiales como el hidrógeno a menudo están presentes en forma de impurezas; los átomos de carbono se agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el número de átomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al cambiar la temperatura.


Defectos sustitucionales: Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un átomo por otro de un tipo distinto. El átomo sustitucional permanece en la posición original. Cuando estos átomos son mayores que los normales de la red, los átomos circundantes se comprimen; si son más pequeños, los átomos circundantes quedan en tensión. En cualquier caso, el defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar el defecto sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado deliberadamente y, una vez introducido, el número de defectos es relativamente independiente de la temperatura.

IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS PUNTUALES: Los defectos puntuales alteran el arreglo perfecto de los átomos circundantes, distorsionando la red a lo largo de quizás cientos de espaciamientos atómicos, a partir del defecto. Una dislocación que se mueva a través de las cercanías generales de un defecto puntual encuentra una red en la cual los átomos no están en sus posiciones de equilibrio. Esta alteración requiere que se aplique un esfuerzo más alto para obligar a que la dislocación venza al defecto, incrementándose así la resistencia del material.

DEFECTOS LINEALES(dislocaciones) :

Defectos Lineales ( Dislocaciones):

Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una red que de otra forma sería perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el proceso de solidificación del material o al deformarlo. Aunque en todos los materiales hay dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cerámicos y los polímeros, son de particular utilidad para explicar la deformación y el endurecimiento de los metales. Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocación de tornillo y la dislocación de borde.

Dislocación de tornillo:

La dislocación de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto, torciéndolo y desplazando un lado del corte sobre el otro la distancia de un átomo.

Dislocaciones de borde:

Una dislocación de borde se puede ilustrar haciendo un corte parcial a través de un cristal perfecto, separándolo y rellenando parcialmente el corte con un plano de átomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la dislocación de borde.

Dislocaciones mixtas:

Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como de tornillo, con una región de transición entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se conserva igual para todas las porciones de la dislocación mixta.

IMPORTANCIA DE LAS DISLOCACIONES:

Aunque en algunos materiales cerámicos y polímeros puede ocurrir deslizamiento, el proceso de deslizamiento es de particular utilidad para entender el comportamiento mecánico de los metales.

En primer término, el deslizamiento explica por qué la resistencia de los metales es mucho menor que el valor predecible a partir del enlace metálico. Si ocurre el deslizamiento, sólo es necesario que se rompa en algún momento una pequeña fracción de todas las uniones metálicas a través de la interfase, por lo que la fuerza requerida para deformar el metal resulta pequeña.

Segundo, el deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no hay dislocaciones presentes, una barra de hierro sería frágil; los metales no podrían ser conformados utilizando los diversos procesos, que involucran la deformación para obtener formas útiles, como la forja.

En tercer lugar, controlamos las propiedades mecánicas de un metal o aleación al interferir el movimiento de las dislocaciones. Un obstáculo introducido en el cristal impedirá que en una dislocación se deslice, a menos que apliquemos mayor fuerza. Si es necesario aplicar una fuerza superior, entonces el metal resulta ser más resistente. Estos obstáculos pueden ser defectos puntuales o borde de grano.

En cuarto lugar, se puede prevenir el deslizamiento de las dislocaciones achicando el tamaño de grano o introduciendo átomos de diferente tamaño, que son las aleaciones.

En los materiales se encuentran enormes cantidades de dislocaciones. La densidad de dislocaciones, o la longitud total de dislocaciones por unidad de volumen, generalmente se utiliza para representar la cantidad de dislocaciones presentes. Densidades de dislocación de 10ˆ-6 cm/cm3 son típicas en los metales más suaves, en tanto que se pueden conseguir densidades de hasta 10ˆ-12 cm/cm3 deformando el material.

DEFECTOS PLANARES: (superficies externas y limite de grano)

DEFECTOS DE SUPERFICIE:

Modelo de cristalización en la solidificación de metales


La estructura final resultante está constituida por un agrupamiento de granos o cristales de forma irregular pero guardando cada uno una orientación fija y bien determinada.

MICROESTRUCTURA DE ACERO

Los defectos de superficie son las fronteras o planos que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con orientaciones cristalográficas distintas, y la superficie externa de un material. En las superficies externas del material la red termina de manera abrupta. Cada átomo de la superficie ya no tiene el mismo número de coordinación y se altera el enlace atómico. Asimismo, la superficie puede ser muy áspera, contener pequeñas muescas y quizá ser mucho más reactiva que el interior del material. En líquidos, los átomos en la superficie tienen mayor energía porque no tienen todos sus átomos vecinos. Esto hace que al tratar de minimizar la energía se tiende a reducir el numero de átomos en esta condición, por lo tanto tienden a reducir la superficie respecto al volumen, esto geométricamente corresponde a una esfera.

CRISTALIZACION

El crecimiento de los cristales que se inicia en los centros o núcleos de cristalización en el metal líquido, no puede ser uniforme a causa de los diferentes factores de la composición del metal, la velocidad de enfriamiento y las interferencias que se producen entre ellos mismos durante el proceso de crecimiento.

DENTRITAS

LIMITES DE GRANO:

La microestructura de la mayor parte de los materiales está formada por muchos granos. Un grano es una porción del material dentro del cual el arreglo atómico es idéntico. Sin embargo, la orientación del arreglo atómico, o de la estructura cristalina, es distinta para cada grano. En la figura se muestran de manera esquemática tres granos; la red de cada uno de ellos es idéntica pero están orientados de manera distinta. La frontera de grano, que es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en la cual los átomos no están correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos sitios, los átomos están tan cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una región de compresión y en otras áreas están tan alejados que crean una región de tensión.

FIGURA Los átomos cerca de las fronteras de los tres granos no tienen un espaciamiento o arreglo de equilibrio.

Un método para controlar las propiedades de un material es controlando el tamaño de los granos. Reduciendo el tamaño de éstos se incrementa su número y, por tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocación se moverá solamente una distancia corta antes de encontrar una frontera de grano, incrementando así la resistencia del metal. Se puede relacionar el tamaño de grano con el tensión de fluencia del material. Los limites de grano tienen una influencia importante sobre las propiedades del metal, su numero y tamaño esta en funcion de la tasa de nucleacion y los indices de crecimiento de este. Una vez que el metal se ha solidificado, se puede modificar el tamaño y numero de granos, ya sea por deformacion o tratamiento termico, lo cual permitira que sus propiedades mecanicas varien considerablemente, la siguiente ecuacion muestra su influencia en el esfuerzo de cedencia:

ß = K1 + K2/ D ˆ- 2

Donde ß es el esfuerzo de Cedencia; K1 y K2 ctes del Material; D es el tamaño del Grano

Fuente: http://descom.jmc.utfsm.cl/proi/materiales/ESTRUCTURAS.htm#IMPERFECCIONESENLASREDESCRISTALINAS

Mario Pedraza

Electrónica del Estado Sólido Sección 2

Estructura de los Sólidos

Estructura de los Sólidos

Sólido cristalino
. Redes espaciales. Celdillas unidad.

Si los átomos o iones de un sólido están ordenados según una disposición que se repite en las tres dimensiones, forman un sólido que se dice posee estructura cristalina y es referido como sólido cristalino o material cristalino. Ejemplos de materiales cristalinos son los metales, las aleaciones, y algunos materiales cerámicos.

La disposición de los átomos en los sólidos cristalinos se puede representar considerando a los átomos como los puntos de intersección de una red de líneas en tres dimensiones. Esta red se denomina red espacial. Cada punto de la red espacial tiene idéntico entorno. Una red espacial se define especificando la disposición de los átomos en una celdilla unidad que se repite n veces dentro de la red espacial. El tamaño y forma de la celdilla unidad se describe mediante tres vectores a, b y c, con origen en un vértice de la celdilla unidad, tal como se muestra en la figura 1.1. Las longitudes a, b y c y los ángulos α, β, y γ son las constantes reticulares de la celdilla unidad.


(a) Red espacial de un sólido cristalino. (b) Celdilla unidad con indicación de las constantes de red.

Celdillas Unitarias de Bravais

El número de redes espaciales no es infinita. Los cristalógrafos han mostrado que sólo existen siete sistemas cristalinos independientes posibles, que dan lugar a 14 redes espaciales, denominadas redes de Bravais. En la figura se representan las celdillas unidad correspondientes a las 14 redes de Bravais. En la tabla se dan los parámetros de la red necesarios para describir los distintos sistemas cristalinos, que definen el tamaño y la forma de cada celdilla unidad.

Si se analiza la tabla y la figura se observa que hay cuatro sistemas básicos de celdilla unidad: sencilla, centrada en el cuerpo, centrada en las caras y centrada en la base. En el sistema cúbico hay tres tipos posibles de celdilla unidad: cúbica sencilla, cúbica centrada en el cuerpo y cúbica centrada en las caras. En el sistema ortorrómbico hay los cuatro tipos posibles: ortorrómbico sencillo, ortorrómbico centrado en el cuerpo, ortorrómbico centrado en las bases y ortorrómbico centrado en las caras. El sistema tetragonal presenta dos tipos de celdillas posibles, tetragonal sencilla y tetragonal centrada en el cuerpo. El sistema monoclínico tiene celdillas unidad sencilla y centrada en la base. Los sistemas romboédrico, hexagonal y triclínico tienen sólo el tipo sencillo de celdilla unidad.

Clasificación de redes espaciales en sistemas cristalinos




Las 14 celdillas unidad de Bravais agrupadas en sistemas cristalinos

Fuente: http://www.xtec.cat/~maleman1/uned/unedcurset21.html

Mario Pedraza
Electronica del Estado Sólido Sección 2

miércoles, 26 de mayo de 2010

Solid State Structure

Solid State Structure

In solids, the way the atoms or molecules arrange themselves contributes to the appearance and the properties of the materials.

Atoms can be gathered together as an aggregate through a number of different processes, including condensation, pressurization, chemical reaction, electrodeposition, and melting. The process usually determines, at least initially, whether the collection of atoms will take to form of a gas, liquid or solid. The state usually changes as its temperature or pressure is changed. Melting is the process most often used to form an aggregate of atoms. When the temperature of a melt is lowered to a certain point, the liquid will form either a crystalline solid or and amorphous solids.

Amorphous Solids

A solid substance with its atoms held apart at equilibrium spacing, but with no long-range periodicity in atom location in its structure is an amorphous solid. Examples of amorphous solids are glass and some types of plastic. They are sometimes described as supercooled liquids because their molecules are arranged in a random manner some what as in the liquid state. For example, glass is commonly made from silicon dioxide or quartz sand, which has a crystalline structure. When the sand is melted and the liquid is cooled rapidly enough to avoid crystallization, an amorphous solid called a glass is formed. Amorphous solids do not show a sharp phase change from solid to liquid at a definite melting point, but rather soften gradually when they are heated. The physical properties of amorphous solids are identical in all directions along any axis so they are said to have isotropic properties, which will be discussed in more detail later

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Crystalline Solids

More than 90% of naturally occurring and artificially prepared solids are crystalline. Minerals, sand, clay, limestone, metals, carbon (diamond and graphite), salts ( NaCl, KCl etc.), all have crystalline structures. A crystal is a regular, repeating arrangement of atoms or molecules. The majority of solids, including all metals, adopt a crystalline arrangement because the amount of stabilization achieved by anchoring interactions between neighboring particles is at its greatest when the particles adopt regular (rather than random) arrangements. In the crystalline arrangement, the particles pack efficiently together to minimize the total intermolecular energy.

The regular repeating pattern that the atoms arrange in is called the crystalline lattice. The scanning tunneling microscope (STM) makes it possible to image the electron cloud associated individual atoms at the surface of a material. Below is an STM image of a platinum surface showing the regular alignment of atoms.


Crystal Structure

Crystal structures may be conveniently specified by describing the arrangement within the solid of a small representative group of atoms or molecules, called the ‘unit cell.’ By multiplying identical unit cells in three directions, the location of all the particles in the crystal is determined. In nature, 14 different types of crystal structures or lattices are found. The simplest crystalline unit cell to picture is the cubic, where the atoms are lined up in a square, 3D grid. The unit cell is simply a box with an atom at each corner. Simple cubic crystals are relatively rare, mostly because they tend to easily distort. However, many crystals form body-centered-cubic (bcc) or face-centered-cubic (fcc) structures, which are cubic with either an extra atom centered in the cube or centered in each face of the cube. Most metals form bcc, fcc or Hexagonal Close Packed (hpc) structures; however, the structure can change depending on temperature. These three structures will be discussed in more detail on the following page.

Crystalline structure is important because it contributes to the properties of a material. For example, it is easier for planes of atoms to slide by each other if those planes are closely packed. Therefore, lattice structures with closely packed planes allow more plastic deformation than those that are not closely packed. Additionally, cubic lattice structures allow slippage to occur more easily than non-cubic lattices. This is because their symmetry provides closely packed planes in several directions. A face-centered cubic crystal structure will exhibit more ductility (deform more readily under load before breaking) than a body-centered cubic structure. The bcc lattice, although cubic, is not closely packed and forms strong metals. Alpha-iron and tungsten have the bcc form. The fcc lattice is both cubic and closely packed and forms more ductile materials. Gamma-iron, silver, gold, and lead have fcc structures. Finally, HCP lattices are closely packed, but not cubic. HCP metals like cobalt and zinc are not as ductile as the fcc metals.

Fuente: http://www.ndt-ed.org/EducationResources/CommunityCollege/Materials/Structure/solidstate.htm

Mario Pedraza
Electrónica del Estado Sólido Sección 2

Basic Semiconductor Crystal Structure

Basic Semiconductor Crystal Structure

To understand how diodes, transistors, and other semiconductor devices can do what they do, it is first necessary to understand the basic structure of all semiconductor devices. Early semiconductors were fabricated from the element Germanium, but Silicon is preferred in most modern applications.

Basic silicon crystal

The crystal structure of pure silicon is of course 3-dimensional, but that is difficult to display or to see, so the image to the left is often used to represent the crystal structure of silicon. For you physics types, silicon (and germanium) falls in column IVa of the Periodic Table. This is the carbon family of elements. The essential characteristic of these elements is that each atom has four electrons to share with adjacent atoms in forming bonds.

While this is an oversimplified description, the nature of a bond between two silicon atoms is such that each atom provides one electron to share with the other. The two electrons thus shared are in fact shared equally between the two atoms. This type of sharing is known as a covalent bond. Such a bond is very stable, and holds the two atoms together very tightly, so that it requires a lot of energy to break this bond.

For those who are interested, the actual bonds in a 3-dimensional silicon crystal are arranged at equal angles from each other. If you visualize a tetrahedron (a pyramid with three points on the ground and a fourth point sticking straight up) with the atom centered inside, the four bonds will be directed towards the points of the tetrahedron.

Now we have our silicon crystal, but we still don't have a semiconductor. In the crystal we saw above, all of the outer electrons of all silicon atoms are used to make covalent bonds with other atoms. There are no electrons available to move from place to place as an electrical current. Thus, a pure silicon crystal is quite a good insulator. In fact, it is almost glass, which is silicon dioxide. A crystal of pure silicon is said to be an intrinsic crystal.


N-Type silicon crystal

To allow our silicon crystal to conduct electricity, we must find a way to allow some electrons to move from place to place within the crystal, in spite of the covalent bonds between atoms. One way to accomplish this is to introduce an impurity such as Arsenic or Phosphorus into the crystal structure, as shown to the right. These elements are from column Va of the Periodic Table, and have five outer electrons to share with other atoms. In this application, four of these five electrons bond with adjacent silicon atoms as before, but the fifth electron cannot form a bond. This electron can easily be moved with only a small applied electrical voltage. Because the resulting crystal has an excess of current-carrying electrons, each with a negative charge, it is known as "N-type" silicon.

This construction does not conduct electricity as easily and readily as, say, copper or silver. It does exhibit some resistance to the flow of electricity. It cannot properly be called a conductor, but at the same time it is no longer an insulator. Therefore, it is known as a semiconductor.

While this effect is interesting, it still isn't particularly useful by itself. A plain carbon resistor is easier and cheaper to manufacture than a silicon semiconductor one. We still don't have any way to actually control an electrical current.


P-Type silicon crystal

But wait a moment! We obtained a semiconductor material by introducing a 5-electron impurity into a matrix of 4-electron atoms. (For you physics types, we're only looking at the outer electrons that are available for bonding -- electrons in inner shells are not included in the process or in this discussion.) What happens if we go the other way, and introduce a 3-electron impurity into such a crystal? Suppose we introduce some Aluminum (from column IIIa in the Periodic Table) into the crystal, as shown to the left? We could also try Gallium, which is also in column IIIa right under aluminum. Now what?

These elements only have three electrons available to share with other atoms. Those three electrons do indeed form covalent bonds with adjacent silicon atoms, but the expected fourth bond cannot be formed. A complete connection is impossible here, leaving a "hole" in the structure of the crystal.

Experimentation shows that there is an empty place where an electron should logically go, and often an electron will try to move into that space to fill it. However, the electron filling the hole had to leave a covalent bond behind to fill this empty space, and therefore leaves another hole behind as it moves. Yet another electron may move into that hole, leaving another hole behind, and so forth. In this manner, holes appear to move as positive charges through the crystal. Therefore, this type of semiconductor material is designated "P-type" silicon.

Fuente: http://www.play-hookey.com/semiconductors/basic_structure.html

Mario Pedraza

Electrónica del Estado Sólido Sección 2